为传统反激转换器供电修改的大电容电路。虽然此方法不要求额外的开关模块，但必须使用额定电压达1，000V或更高的MOSFET，用于支持输入端更高的故障电压，以及变压器反激电压。针对宽输入电压范围设计开关电源也要求相应的宽频率动态范围或MOSFET导通时间(ton)变化，以在更宽范围内维持稳压。此外，更高的MOSFETdV/dt也会增加开关损耗，导致能效降低，并增加电磁干扰(EMI)的风险。

　　另一种方法是单颗MOSFET可以采用共源共栅配置的2颗MOSFET来替代，如图2所示。普通的700V开关稳压器结合600V功率MOSFET，足以承受反激电压与整流输入电压之和。如电路所示，60VMOSFET的栅极要求额外的TVS。与标准反激架构一样，开关电源的设计应当针对宽输入电压范围，并带有相应的大开关频率漂移或ton动态范围，以确保输出电压的稳压。开关损耗及复杂EMI信号的风险也相似。

　　又一种方法，是通过审慎的设计，使用带800V功率MOSFET或集成开关稳压器的经典拓扑结构来实现一种方案。然而，必须注意将变压器反射电压降至小，从而将大晶体管电压保持在低于800V，即使电源电压在故障条件下处于高时(约620V)。这要求变压器具有小匝数比(Np/Ns)及低初级电感。当输入电压高、输出功率低时MOSFET导通时间ton必须极短，而次级端二极管拥有长导电时间。

　　有几项因素会限制这类方案的性能、损及可靠性并增加成本。极短的导通时间ton可能滋生不稳定的稳压，迫使开关电源在非突发模式下降至低频工作。此外，虽然对于抗雪崩型功率MOSFET而言，10%的电压余量通常被认为足够，但非抗雪崩型器件应当考虑有20%的余量，以避免瞬态事件及启动相位期间出现任何问题。至于次级侧二极管，要求高反向电压能力，这通常需要高成本、大体积及大正向压降Vf(通常会降低能效)的二极管。

　　变压器漏电感产生的峰值电压应当保持在低于800V极限值的极低标准。这要求使用大的缓冲器电路，该电路会增加功率耗散，因而损及总能效。

　　新型预稳压器设计

　　一种新的可选方案建议在开关电源输入端插入稳压器，如图3所示。这就无需串联大电容及其相关的电路，且能使用传统反激转换器设计，以避免使用特殊高压元器件。