随着功率半导体器件在移动通讯、消费电子、新能源交通、发电与配电领域发挥着越来越重要的作用，“中国智造”时代的来临给功率半导体行业带来新的发展机遇和增长动力。氮化镓、碳化硅宽禁带半导体材料和器件、IGBT、射频通讯等新技术都将推动应用市场的快速发展。

　　苏州能讯高能半导体有限公司总裁张乃千在“用于4G基站GaN功率放大器”的演讲中表示，未来移动通信对于基站而言，需要的频率更高，更宽的带宽，更高效率的功率放大器。由于出色的物理特性，氮化钾射频设备在功率放大器展示出了出色的特质，尤其是在变频启动到3.5GHZ。氮化钾主要用在高功率的场合，由于功率密度比较高，每个环节都会产生热阻，所以散热是一个很复杂的问题，很多同仁也在不断的付出努力解决。氮化钾行业目前已经开始用于移动基站的功率放大器上。他相信未来经过大家的共同努力，氮化钾技术会变得越来越成熟。

　　Skyworks 高级技术总监David在“Front End Power Management for the Next Generation”的演讲中表示，不断进化的单元系统正在驱动带宽更宽，提升波峰因素以及高平均功率。APT和ET架构在一个广泛的平均功率上提供了提高系统效率的方法。复杂的ET系统需要重要配置以及刻度要求。联合设计的功率管理和PA系统在优化性能上远超ET的效率。

　　厦门市三安光电科技有限公司研发副总裁黄博在“三安集成电路砷化镓与氮化镓代工技术”的演讲中，介绍了三安光电在砷化镓与氮化镓的技术以及实现方式，同时对砷化镓与氮化镓的市场进行了分析。

　　Veeco Somit Joshi在“用于提高功率器件性能的硅基氮化镓MOCVD进展”的演讲中表示，新兴的中/高电压应用在电力供应，替代能源以及数据中心，都需要更高的功率效率，满足较高的工作温度以及更小的系统规模。氮化硅在这些参数上远远好于硅。随着MOCVD外延生长GaN材料在硅衬底的发展，硅在经济上可行的替代方案已经出现。为了满足系统的产量水平，可靠性和成本目标，行业需要MOCVD工艺支持优异的膜均匀性、运行控制、杂质控制、低缺陷、高正常运行时间的特性。他指出，针对这些要求，Veeco公司已经开发出下一代的MOCVD系统基于单芯片架构，具有业界领先的性能在多个站点。

　　英飞凌科技香港有限公司工业功率控制事业部总监马国伟的演讲标题为“高功率 IGBT的技术前沿 : 高温、高密度、便扩容”，他表示，在可再生能源、牵引及输配电等应用中，不断提高的功率需求一直在推动高功率半导体，特别是IGBT的大电流规格及电流密度技术极限，突破芯片电流密度及封装电流规格需要在 IGBT芯片及封装技术两方面的创新。同时，他介绍了数项高功率 IGBT芯片及封装技术的新创新。使用 IGBT5芯片及.XT封装技术让 IGBT模块可以在 Tvjop为 175oC中可靠地工作，或令工作寿命提高十倍。二极管可控逆导型 IGBT (RCDC) 技术让 IGBT及二极管的功能可在单芯片上集成，令芯片电流密度提升 33%。后，以标准化 XHP封装作简便的模块并联，让模块的电流规格得到简便扩容。

　　中国中车株洲南车时代副总经理刘国友的演讲标题为“功率半导体技术助力中国高铁的快速发展”他表示，中国几十年的轨道交通的发展中，功率半导体对其产生巨大的作用。中国的轨道交通是一个很复杂的系统，需要适应气温，潮湿，高压等环境。对于IGBT的可靠性，功率密度性都有着很高的要求。轨道交通核心的是IGBT这样的全控性功率器件。同时他表示，目前中车的IGBT产品在智能电网，轨道交通等领域已有广泛的应用。目前正在研发铜金属化芯片的全铜工艺IGBT模块，开发智能IGBT将温度传感器和电流传感器集成到IGBT上等。中国作为高铁发展的强国，目前中国半导体的发展可以完成一带一路的需求。

　　ABB 瑞士-半导体高级销售经理陈马看在“面向大功率低损耗应用的功率半导体的发展及趋势”的演讲中表示，HVDC和可再生能源转换应用对功率半导体不断提出更高的要求。一方面器件需要有更高的可靠性和鲁棒性以确保系统不间断工作，另一方面它们应该能以低损耗处理更大电流并以高可控性实现简单的系统设计。4500V / 3000A StakPak 压接式IGBT 新产品的在柔直和直流断路器中的应用拥有很大的潜力。同时他介绍了LinPak一种低电感易于实现无降额并联的全新IGBT 模块平台。并表示，SiC是一个稳定的项目，IGBT和SiC会有很多的潜能。